對(duì)比半導(dǎo)體上游材料，半導(dǎo)體制造設(shè)備更容易出現(xiàn)大牛。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最為核心的當(dāng)屬于半導(dǎo)體制造的設(shè)備領(lǐng)域，規(guī)模達(dá)到千億美元級(jí)別，制造領(lǐng)域主要涉及前道工藝和后道工藝。

前道工藝就是我們常說的晶圓制造，在晶圓上形成各類器件，而后道工藝主要包含器件的分離和封測(cè)階段。

相關(guān)制造設(shè)備更是核心中的核心，整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到千億級(jí)別，其中晶圓制造設(shè)備規(guī)模占比約86.1%，后道封裝和測(cè)試占比分別是5.4%和8.6%

先介紹前道工藝：前道工藝共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散 、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜、清洗與拋光、金屬化

各個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)有對(duì)應(yīng)的設(shè)備支持，比如最為聚焦的光刻環(huán)節(jié)中的光刻機(jī)。

在這七個(gè)環(huán)節(jié)中，薄膜沉積、刻蝕和光刻設(shè)備分別以 21.5%、21.1%和 21.9%市占率位居前三。

光刻機(jī)是集成電路制造的核心設(shè)備，光刻工藝是半導(dǎo)體集成電路制造的核心圖形工藝，而光刻機(jī)是光刻工藝對(duì)準(zhǔn)和曝光的核心設(shè)備