(1)ATE測試機：測試環節有設計驗證、晶圓制造、封裝測試，測試對象有電壓、電流、時間、溫度、電阻、電容、頻率、脈寬、占空比等，主要技術壁壘有集成電路參數項目越來越多，精度越來越高，響應速度越來越快，并且具備通用化軟件開發平臺，結合大數據應用，下游廠商有封測廠、Fabless廠、晶圓廠
(2)分選機：測試環節是設計驗證、封裝測試，測試對象是將檢測的集成電路逐個自動傳至測試工位，進行標記、分選、收料或編帶，主要技術壁壘是對自動化高速重復定位控制能力和測壓精度要求較高，達到0.01mm，設備要求穩定性強，具備快速切換能力，抗干擾能力強;下游廠商有封測廠、Fabless廠、晶圓廠
(3)探針臺：測試環節是設計驗證、晶圓制造;測試對象是對測試臺測試的芯片打點標記，形成map圖;主要技術壁壘有精度要求苛刻(0.001mm級別)，對設備穩定性要求極高，需要具備視覺精密控測量和定位系統，對系統算法提出很高要求，工作環節必須潔凈度極高，下游廠商有封測廠、Fabless廠、晶圓廠。
2 測試機的種類
(1)模擬測試機：分為分立器件測試機、模擬測試機、數模混合測試機，主要參數有速度5-10MHz，向量深度8-16MV，調試工具1-3種，協議1-2種，并測幾十到幾百引腳
(2)SOC測試機：測試對象是微處理器/邏輯芯片/通信芯片等純數字或數模混合/數字射頻混合芯片、CPU、GPU、ASIC、DSP、MCU、CIS、顯示驅動芯片、高端AD/DA芯片、射頻芯片等，主要參數是速度100MHz-1.6GHz、向量深度256-512MV、調試工具5-10種、協議100余種、并測幾百到幾千引腳，技術難度在總體測試要求非常高，且要求高并測，故對其軟硬件系統的復雜度&技術要求極高，需持續研發以適應不斷迭代的高端芯片&新的技術標準和協議
(3)存儲測試機：測試對象是存儲器、DRAM、NAND Flash等存儲芯，主要參數是速度200MHz-6GHz、向量深度256-512MV、調試工具2-3種、協議2-3余種、并測幾百上萬個引腳，主要技術難度在DRAM/NAND測試對測試機要求非常高，對新的DRAM標準持續支持研發投入大，技術難度大，同測數量要求可達1024DUT，系統昂貴
(4)射頻(RF)測試機：測試對象是PA/FEM/射頻開關、射頻芯片，主要參數是速度50MHz、向量深度8-16MV、調試工具近10種、協議近20種、并測幾十到上百個引腳，技術難點在射頻板卡VST TX/RX需支持最新協議標準，核心頻射板卡研發難度非常大。
