除了IGBT這樣的硅基功率半導(dǎo)體，再一個(gè)更火熱的領(lǐng)域是第三代功率半導(dǎo)體。第三代半導(dǎo)體具有高效率、低能耗、散熱快等特性，是5G、低軌衛(wèi)星、高速運(yùn)算、電動(dòng)車等當(dāng)紅應(yīng)用必備的零組件。據(jù)TrendForce指出，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在電動(dòng)汽車（EV）和快充電池市場(chǎng)具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿ΑｎA(yù)計(jì)第三代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)值，將從 2021 年的 9.8 億美元、增長(zhǎng)到 2025 年的 47.1億美元年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為48% 。

因此，第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)對(duì)諸多供應(yīng)鏈的廠商有極大的吸引力，不僅吸引了包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、東部高科在內(nèi)的各大代工廠的加入，硅晶圓全球第三的環(huán)球晶也開(kāi)始生產(chǎn)少量的SiC晶片。代工廠大多是布局在GaN領(lǐng)域，主要因GaN技術(shù)跟代工廠的設(shè)備相容度達(dá)9成以上，且GaN有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)到8英寸廠投片。

除此之外，芯片設(shè)計(jì)廠商也在開(kāi)始加入。本月23日，全球電源芯片龍頭臺(tái)達(dá)電宣布，斥資3.2億元成立碇基半導(dǎo)體籌備處，發(fā)力第三代半導(dǎo)體，據(jù)了解，碇基半導(dǎo)體初期鎖定600V電源供應(yīng)器等產(chǎn)品。臺(tái)達(dá)電表示，將先成立碇基半導(dǎo)體，進(jìn)入先端電源技術(shù)與第三代半導(dǎo)體的研究開(kāi)發(fā)與相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)與銷售，臺(tái)達(dá)電內(nèi)部已有團(tuán)隊(duì)研究第三代半導(dǎo)體多年，也有很多相關(guān)產(chǎn)品。未來(lái)希望藉由掌握上游端設(shè)計(jì)，提供關(guān)鍵半導(dǎo)體零組件，掌握第三代半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì)，未來(lái)不排除引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)策略合作伙伴加入。

國(guó)內(nèi)大陸方面，三代半導(dǎo)體的投融資仍舊比較熱鬧。5月20日，華潤(rùn)微電子收購(gòu)第三代半導(dǎo)體廠商大連芯冠科技有限公司34.5625%股份，同時(shí)后者更名為潤(rùn)新微電子（大連）有限公司，據(jù)介紹，該公司已建成首條6英寸硅基GaN外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線，華潤(rùn)微也因此入局GaN領(lǐng)域。

6月8日，功率半導(dǎo)體器件代工廠商寬能半導(dǎo)體完成超2億元天使輪融資，其首條產(chǎn)線落地南京，目前正在建設(shè)中，建成后將是國(guó)內(nèi)最大的碳化硅半導(dǎo)體晶圓廠。6月18日左右，晶越半導(dǎo)體完成新一輪融資，主要產(chǎn)品為六英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底晶片。6月20日，杭州譜析光晶獲數(shù)千萬(wàn)元preA輪融資，生產(chǎn)碳化硅驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及模組，應(yīng)用在電動(dòng)汽車電控模組等超高可靠性要求領(lǐng)域。

整車廠也在積極發(fā)力第三代功率半導(dǎo)體，近日，理想汽車的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目生產(chǎn)基地已落戶蘇州，由理想汽車與三安光電共同出資組建蘇州斯科半導(dǎo)體公司，主要專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)。將于2022年6月中旬啟動(dòng)廠房建設(shè)，預(yù)計(jì)2023年5月啟動(dòng)樣品試制，2024年正式投產(chǎn)后，將逐步形成年產(chǎn)240萬(wàn)只半橋生產(chǎn)能力。